如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2024年2月18日 中国电科48所是国内拥有sic核心工艺设备最全的单位,在国内率先实现了外延、高温离子注入、高温氧化、高温激活炉、碳膜溅射设备、lpvcd以及退火设备等设备研发及验证应用，并形成成套应用态势。
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SiC 行业概况:第三代半导体材料性能优越,新能源车等场景带动SiC 放量。 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来
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碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份有限公司 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案 UKING 了解详情 联系我们 ABOUT U KING 苏州优晶半导体科技
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2024年2月18日 外延设备：国产设备加速追赶 外延层对后续芯片器件产品的质量和良率至关重要。目前，碳化硅外延工艺主要有化学气相沉积（cvd）、液相外延生长（lpe）和分子束外延生长（mbe）。其中，cvd
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2022年3月2日 2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底
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2023年4月25日 碳化硅，是一种无机物，化学式为sic，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然
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2022年3月22日 2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶
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2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡
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2023年11月12日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还有差距，因此碳化硅切磨抛装备仍以进
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8英寸碳化硅外延生长设备 自2017年布局碳化硅产业以来，晶盛聚焦碳化硅衬底片和外延设备开发，2020年建立68英寸碳化硅晶体生长及切磨抛产线，相继开发了68英寸碳化硅晶体生长炉和核心加工设备。
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公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺uking erh sic rv40电阻法碳化硅长晶设备，可用于6英寸、8英寸
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随着碳化硅材料的应用范围不断扩展，如果技术人员仍然只依靠过去的烧结铸造方法来对其进行加工，那么不仅会加大碳化硅的加工难度，还不利于其加工的精确度。本文从碳化硅的特性出发，简单阐述了其机械加工工艺，以供参考。
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2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备 该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于
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2023年2月27日 受益标的：（1）宇环数控：国内稀缺的高端数控机床研发制造企业，以超硬材料机加工核心技术为基，切入碳化硅研磨设备。 （2）快克股份：深耕微电子封装三十年，在二级封装锡焊设备领域国内第一、全球领先，向上切入一级封装，纳米银烧结设备将打破
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此外，碳化硅陶瓷也在其他方面的换热应用。例如，太阳能发电设备中被阳光聚焦加热的热交换器，其工作温度高达1000～1100℃，具有高热传导性的碳化硅陶瓷很适合做这种热交换器的材料，并从试验情况来看，碳化硅陶瓷热交换器的工作状态良好。
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2024年2月1日 经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工
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2024年3月20日 今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长： 获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约； 获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议； 究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？
2023 年连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线。新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。
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碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的
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2023年11月12日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还有差距，因此碳化硅切磨抛装备仍以进
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本设备用于碳化硅晶锭/片的激光切片加工，激光加工完成后配合辅助的分片装置，完成晶片切割后的分片。材料损耗小，加工
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2023年5月17日 碳化硅的硬度达95，激光切割技术要求较高，目前仅有日本disco和英飞凌掌握可应用于大尺寸衬底的激光切割设备，国内激光设备厂商综合技术水平目前仍有限，且后续还需要持续突破大尺寸碳化硅衬底激光切割带来的技术难题。
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8英寸碳化硅外延生长设备 自2017年布局碳化硅产业以来，晶盛聚焦碳化硅衬底片和外延设备开发，2020年建立68英寸碳化硅晶体生长及切磨抛产线，相继开发了68英寸碳化硅晶体生长炉和核心加工设备。
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在 未来的研究中，需要优化大尺寸衬底磨抛加工中的 工艺参数和磨抛工具；开发新型超精密磨抛技术；研 发自动化、智能化的加工设备；实现碳化硅衬底加工 的磨抛一体化 来源：湖南大学学报（自然科学版） 作者：罗求发 1，3†，陈杰铭 1，程志豪 1，陆静 1，2
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2023年5月18日 1）加工效率较低，碳化硅晶锭长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率； 2）材料损耗率高，加工过程中切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在表面形成粗糙切痕，材料损耗率高达50%； 3）设备及耗材寿命短，切割时金刚线磨损
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2024年3月20日 今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长： 获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约； 获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议； 究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？
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2022年1月10日 本发明公开了一种碳化硅dpf的加工方法及设备，属于dpf加工技术领域；s1：将若干碳化硅dpf坯料竖直排列摆放，并使所有胚料的待加工端面处于第一平面区域内；s2：用胶带覆盖第一平面区域，并将胶带的边缘向外延伸铺设成延伸区域；s3对坯料上方的胶带进行打孔、堵孔和固化后去除胶带。
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半导体 / 液晶显示器加工设备 生活 / 文化 / 工业机械 无线通信 计算机外围设备 环保和可再生能源 医疗设备 / 器材 蓝宝石单晶片产品 陶瓷金属化 / 真空部件 电子工业 加热器 压电陶瓷 按材料 氧化铝 氮化硅 碳化硅 蓝宝石 氧化锆 堇青石 氧化钇 氮化铝 金属
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2023年8月17日 碳化硅一般采用pvt方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。
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2023年12月6日 1、碳化硅行业产业链结构图 碳化硅行业产业链主要包括原材料、衬底材料、外延材料以及器件和模块等环节。在上游，原材料主要包括各类硅烷、氮化硼等，这些原材料经过加工后制成碳化硅衬底材料。
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2023年5月17日 碳化硅的硬度达95，激光切割技术要求较高，目前仅有日本disco和英飞凌掌握可应用于大尺寸衬底的激光切割设备，国内激光设备厂商综合技术水平目前仍有限，且后续还需要持续突破大尺寸碳化硅衬底激光切割带来的技术难题。
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2023年12月15日 碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成具有高能隙、高热导率、高电子饱和漂移速率等优异物理特性的第三代半导体材料。而在应用上碳化硅器件成本居高不下，一方面生产周期长产量有限；另一方面晶锭切割工艺损耗多，良率低；碳化硅晶锭主流的切割技术包括砂浆线切割、金刚石线切割等
2 天之前 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 该技术不仅解决了传统切割技术中的高材料损耗问题，还大幅提高了生产效率，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重大意义。
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2023年5月18日 1）加工效率较低，碳化硅晶锭长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率； 2）材料损耗率高，加工过程中切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在表面形成粗糙切痕，材料损耗率高达50%； 3）设备及耗材寿命短，切割时金刚线磨损
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2023年10月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。 GCSCDW8300型碳化硅切片机可以提升切割效率及出片
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中国，上海 —2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势
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应用终端 sic igbt模块 sic模块 碳化硅衬底 igbt芯片 分立器件 材料 焊接材料 真空回流焊炉 烧结银 烧银炉 烧结炉 陶瓷基板 铜底板 焊接设备 划片机 晶圆贴片机 灌胶机 贴片 表面处理 硅凝胶 环氧树脂 散热器 铝碳化硅 五金 键合机 键合丝 超声焊接机 陶瓷劈刀 激光设备 设备配件 pvd设备 ald 电子浆料
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2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋晶圆（约25厘米），可显著提升半导
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2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备 该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于
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砂浆线切割设备 纳秒脉冲激光激光隐形切割近几年在硅晶圆和蓝宝石的切割上得到了快速发展和应用，但在加工碳化硅（SiC）过程中，脉冲持续时间远长于碳化硅中电子和声子之间的耦合时间（皮秒量级），因此会产生
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碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的
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目录 4 S i C 衬底：材料端良率提升是关键，设备端生 长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升 2 S i C 行业概况：第三代半导体材料性能优越， 新能源车等场景带动S i C 放量 1 4 5 本土重点公司 S i C 外延：国外设备商主导，未来2 3 年有 望快速实现国产替代
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2023年11月12日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还有差距，因此碳化硅切磨抛装备仍以进口为主，导致国内厂商生产成本居高不下，碳化硅切磨抛设备的国产替代需求迫切，还需相关厂商
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2023年5月21日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。
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2024年2月18日 生产设备决定产能上限，国产设备决定供应链安全。碳化硅产业在国内的发展，绕不开国产设备企业的发力。而谁能率先获得突破，谁就有望在未来的碳化硅市场获得更高的市场地位，碳化硅设备企业也将得到重新排序评估。 来源于集邦化合物半导体，作
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2024年2月18日 一、SiC 单晶生长设备SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于 半导体碳化硅(SiC) 关键设备 SiC 磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购国外公司的设备,这些企业采用设备与工艺
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2024年5月17日 4碳化硅外延设备 碳化硅外延设备是一种用于在碳化硅衬底上生长外延层的设备，碳化硅外延设备在制造高质量碳化硅外延片和晶片方面具有广泛的应用。在下游需求刺激下，近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划，我国碳化硅外延设备市场规
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2022年1月10日 本发明公开了一种碳化硅dpf的加工方法及设备，属于dpf加工技术领域；s1：将若干碳化硅dpf坯料竖直排列摆放，并使所有胚料的待加工端面处于第一平面区域内；s2：用胶带覆盖第一平面区域，并将胶带的边缘向外延伸铺设成延伸区域；s3对坯料上方的胶带进行打孔、堵孔和固化后去除胶带。
